3GHz+!三星将基于5nm/7nm打造采用ARM A76架构的IP

三星的7nm工艺,选择直接导入先进的EUV(极紫外光刻)技术,由此在进度上稍显吃亏,尤其是落后自己的“宿敌”台积电。

在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架构时,样片就是由台积电的7nm打造,当时频率最高达到了3.3GHz,参考值也达到了3GHz。

这种局面,三星当然不会坐视。

7月5日,三星电子在韩国举办的铸造论坛期间宣布,和ARM(安谋)的战略级代工合作推进到7nm/5nm上。具体来说,由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以实现3GHz以上的频率。

台积电版ARM A76性能效果图

三星还透露,7LPP将从2018年下半年开始早期生产,采用EUV技术的IP预计明年上半年完工。

除了CPU和GPU,三星还拿到了ARM的Artisan physical IP授权,包括全套的内存编译器、1.8V/3.3V通用输入输出库等等,可加速开发过程、优化开发结果。

另外,三星还确认其路线图推进到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工艺。

那么问题了,除了Exynos,三星的7nm A76芯片会有高通、华为这些客户吗?

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